封装/外壳：BG-T7526K-1

封装：Tray

RoHS compliant：yes

Packing Type：TRAY

Moisture Level：NA

Configuration：Rectifier Diodes

Housing：Disc dia 75mm height 26mm / Ceramic

IFSM [A] (@10ms, Tvj max)：27500.0

rT [mΩ] (@Tvj max) max：0.25

Tvj [°C] max：160.0

VT0 [V] (@Tvj max) max：0.85

∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max)：3781.0

IFAVM/TC [A/°C] (@180° el sin)：1800/100

RthJC [K/kW] (@180° el sin) max：16.9

RthJC [K/kW] (@180° el sin) max：16.9

VRRM max：4200.0V

rT [mΩ] (@Tvj max) max：0.25

Clamping force [kn] min max：24.0 60.0

Tvj [°C] max：160.0

IFAVM/Tc：1800/100 (180 ° el sin)

VT0 [V] (@Tvj max) max：0.85

∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max)：3781.0

IFSM [A] (@10ms, Tvj max)：27500.0

I(FSM) max：27500.0A

IFAVM/TC [A/°C] (@180° el sin)：1800/100

I(FSM) max：27500.0 A

VRRM [V]：4200.0

VF/IF [V/kA] (@Tvj max)：2.82/7.4

VRRM max：4200.0 V

Clamping force [kn] min max：24.0 60.0

VF/IF [V/kA] (@Tvj max)：2.82/7.4

RoHS compliant：yes

Packing Type：TRAY

Moisture Level：NA

Configuration：Rectifier Diodes

Housing：Disc dia 75mm height 26mm / Ceramic

IFSM [A] (@10ms, Tvj max)：27500.0

rT [mΩ] (@Tvj max) max：0.25

Tvj [°C] max：160.0

VT0 [V] (@Tvj max) max：0.85

∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max)：3781.0

IFAVM/TC [A/°C] (@180° el sin)：1800/100

RthJC [K/kW] (@180° el sin) max：16.9

RthJC [K/kW] (@180° el sin) max：16.9

VRRM max：4200.0V

rT [mΩ] (@Tvj max) max：0.25

Clamping force [kn] min max：24.0 60.0

Tvj [°C] max：160.0

IFAVM/Tc：1800/100 (180 ° el sin)

VT0 [V] (@Tvj max) max：0.85

∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max)：3781.0

IFSM [A] (@10ms, Tvj max)：27500.0

I(FSM) max：27500.0A

IFAVM/TC [A/°C] (@180° el sin)：1800/100

I(FSM) max：27500.0 A

VRRM [V]：4200.0

VF/IF [V/kA] (@Tvj max)：2.82/7.4

VRRM max：4200.0 V

Clamping force [kn] min max：24.0 60.0

VF/IF [V/kA] (@Tvj max)：2.82/7.4

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs